收藏本站
NTLJD4116N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
V GS = 1.7 V to 8 V
T J = 25 ° C
6
V DS ≥ 10 V
1.6 V
4
4
3
1.5 V
2
1
1.4 V
1.3 V
2
T J = 25 ° C
0
1.2 V
0
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.07
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.14
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
V GS = 4.5 V
T J = 100 ° C
0.13
0.12
T J = 25 ° C
0.11
0.05
0.04
0.03
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.02
1.0
1.5
2.0
2.5
0.04
1
2
3
4
5
1.6
1.4
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
I D = 2 A
V GS = 4.5 V
100,000
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1.0
T J = 100 ° C
100
0.8
0.6
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTLJD4150PTBG MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN
NTLJF3117PTAG MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
NTLJF3118NTBG MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
NTLJF4156NT1G MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
NTLJS1102PTBG MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
NTLJS2103PTAG MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
NTLJS3113PTAG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
NTLJS3180PZTBG MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
相关代理商/技术参数
NTLJD4150P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package
NTLJD4150P_07 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package
NTLJD4150PTBG 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
NTLJF117P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJF156N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJF3117P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTLJF3117P_1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTLJF3117PT1G 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube